大功率IGBT器件并联均流研究

摘要:为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文章分析了寄生电感对器件均流的影响,并通过理论推导分析了芯片参数对静态均流的影响,最后通过仿真和实验验证了芯片参数对动态均流的影响。结果表明,主回路寄生参数的不对称对均流的影响大于芯片参数差异的,而两者对开通均流的影响又都大于对关断均流的影响。

关键词:
  • igbt并联  
  • 并联均流  
  • igbt芯片参数  
  • 寄生参数  
作者:
余伟; 罗海辉; 邓江辉; 周望君; 江普生; 吴煜东
单位:
新型功率半导体器件国家重点实验室; 湖南株洲412001; 株洲中车时代电气股份有限公司; 湖南株洲412001
刊名:
大功率变流技术

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

期刊名称:大功率变流技术

大功率变流技术杂志紧跟学术前沿,读者对象主要为从事变流技术、电传动与控制自动化领域研究和开发的科研人员,企业领导和管理人员,以及大中专院校相关专业的师生,行业涉及交通(包括铁道交通、城市轨道交通、电动汽车等)、电力、冶炼、矿业开采、军工等。紧贴读者,坚持指导性与实用性相结合的原则,创办于1978年,杂志在全国同类期刊中有很重的学术价值。