摘要：采用沟槽栅结构、软穿通（SPT）技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型（TMOS＋）3300VIGBT芯片，其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高温（Tj=150℃）工况下，芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型（DMOS＋）IGBT的约低25％，并能安全关断11倍额定电流；同等外形尺寸条件下，TMOS＋型IGBT模块的电流等级（1800A）比DMOS＋型的提升了20％，可满足更高功率容量的应用需求。