CMP抛光压力校准的研究与应用-化学机械抛光-好期刊

CMP抛光压力校准的研究与应用

摘要：抛光压力是影响化学机械抛光(CMP)效果的重要参数之一,为了更精准地控制抛光头加载压力和实时监测压力,通过分析压力加载和获取的方法,应用最小二乘法对压力进行校准,在实际加工中取得了理想的效果,实现了更好的工艺性能。

关键词：

作者：

孟晓云; 孔宪越; 杨元元; 刘志伟

单位：

中国电子科技集团公司第四十五研究所; 北京100176

刊名：

电子工业专用设备

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