时间：2023-01-18 15:00:43
导语：在季度总结结束语的撰写旅程中，学习并吸收他人佳作的精髓是一条宝贵的路径，好期刊汇集了九篇优秀范文，愿这些内容能够启发您的创作灵感，引领您探索更多的创作可能。
关键词：高支模体系；碗扣式满堂脚手架；大跨度预应力
中图分类号： TU74 文献标识码： A 文章编号：
引言
郑州某工程属于高档五星级酒店，集餐饮、娱乐、商务、休闲为一体的综合酒店，一层设有大堂和大宴会厅，地下室顶板标高-0.15m，顶板标高10.55m，最大跨度27m，顶板梁均采用预应力施工技术，属高支撑、大跨度、大截面预应力，施工难度大、施工技术安全措施要求高，本文重点介绍高支模碗扣脚手架、大截面预应力施工技术措施。
1.模板支撑体系的选择及方案
本工程大宴会厅高支模：18~29轴交S~W轴，顶板标高10.55m, 地下室顶板标高-0.10m。板厚140mm，预应力梁400×1800，500×1800；框架梁800×2000，400×600；600×750；300×650.大堂高支模：P~T轴交9~12轴，顶板标高10.55m，地下室顶板标高-0.15m。板厚140mm，预应力梁800×1800。
表1 模板及支撑体系的选型
根据现场平面布置和碗口架立杆受力大的特点，采用碗扣式满堂脚手架作为支撑体系，搭设比较简便。
模板专项方案：立杆主要采用2.4m、1.8m、0.9m等几种,横杆主要采用1.2m、0.6m、0.9m组成。支架下垫垫板，立杆底支于木板上,顶托上方铺设双钢管。步距1.2米，立杆纵距0.9米，立杆横距1.2米、0.9米、0.6米. 满堂脚手架水平方向分别在扫地杆标高处、中间、梁底设置三道水平剪刀撑；满堂脚手架的四边周圈设置一道纵横向剪刀撑、中间每隔5~8m设置一道纵横向剪刀撑，由底至顶连续设置，剪刀撑的斜杆与地面夹角应在45°~60°之间，斜杆应每步与立杆扣接。脚手架内立杆与结构外皮净空保证小于500mm。现场搭设效果如下：
图1现场搭设效果 图2立杆加设垫板
2 .方案的审核
高支模方案由施工单位技术部门组织本单位技术、安全、质量等部位人员审核，经技术负责人签字后，再按相关规定组织专家论证。施工单位根据论证报告，对专项施工方案修改完善。高大模板支撑体系的设计计算应作为审核的重点，必要时采用PKPM等计算软件对模板架体进行验算复核，经总监理工程师批准签字后，方可组织实施。
3.模板架体的安全技术保障措施
3.1严把材料关，每批材料都要物资、技术、质量等人员进行验收，确保材料符合方案要求，从根本上确保安全。
3.2工程的施工管理人员，必须按架子方案的要求，制定书面技术交底操作要求，向专业脚手架班组进行安全技术交底，专业脚手架班组必须严格按操作要求和安全技术交底施工。
3.3高支模搭设前，高支模架体下的负一层模板支撑架体不得拆除。
3.4高支模搭设前，应完成四周框架柱以及周边楼层的施工，以便高支模架体与之拉结加固。
3.5楼面周边梁面预插短钢筋，通过短管、扣件锁死连接杆件。主梁下的纵向水平杆两端必须全部顶至柱侧面。
3.6碗扣式脚手架整体搭设完毕，经过自检后，再由工地总工组织验收，然后经有关部门共同验收签证合格后，方能进入下一道工序施工。
4.大截面预应力施工技术
框架梁采用有粘结预应力砼结构，最大截面0.8m×2m,最大单跨为27米，因此，预应力施工作为关键技术重点控制。本工程二层预应力梁采用两端张拉，其余采用一端张拉的锚固方式。预留孔道采用圆形金属波纹管，张拉端锚具采用YJM 15型夹片锚，固定端锚具采用 YJM15-P挤压锚，预应力筋采用有粘结预应力混凝土用钢绞线。
工艺流程：预应力材料进场--预应力主材复验--预应力筋下料--安装钢筋支架--预埋波纹管、垫板--预应力筋穿束--隐蔽验收--清理张拉孔--校验张拉设备--张拉预应力筋--孔道灌浆--切割预应力筋--封锚。
4.1预应力施工材料准备
4.1.1预应力钢绞线：本工程预应力梁采用1x7-15.2-1860高强低松弛预应力砼用钢绞线，质量应符合国标GB/T 5224-2003有关规定的要求。
4.1.2 锚具系统：锚具均采用YJM系列锚具，张拉端为YJM15型夹片式群锚，固定端锚具采用 YJM15-P.锚具质量应符合国标GB/T 14370-2000有关规定的要求；并按设计及施工规范要求制备锚垫板、螺旋筋。
4.1.3波纹管：预应力波纹管采用圆形金属波纹管。
4.2. 预应力施工技术准备
鉴于预应力施工工艺的特殊性，预应力公司必须提前介入，做好与土建单位的沟通和技术交底，处理好梁、柱中预应力筋和非预应力筋的空间位置。
4.3预应力施工中的控制要点
4.3.1由于预应力为结构中的关键工序，因此，预应力与土建单位需要密切配合，同时由于预应力施工的特殊性需要土建单位特别注意以下问题：由于张拉前楼板和次梁的荷载会传给框架梁，预应力梁跨度大截面相对较大。因此，预应力框架梁支模时应适当加密梁底支撑，增加刚度、减少构件的变形。
4.3.2梁柱节点处钢筋较密，预应力筋和非预应力筋交错处，应以预应力筋为主，非预应力筋可适当移位，但对于某些情况（节点交叉较多，顶层或柱端弯距较大的部位等）节点钢筋过密，应及时会同设计单位及专业预应力公司调整节点布置确保设计要求和钢筋位置正确。
4.3.3梁预应力筋张拉前，不得拆除梁底模，但应拆除梁侧模和板底模，以避免预应力张拉时模板约束砼自由变形，以及便于清理排气孔，因此土建工种应提前筹划支撑和模板的合理架设方案。
4.3.4后张预应力混凝土结构的侧模在施加预应力前拆除，底模应在施加预应力后拆除。侧模及厎模拆除前需根据项目部下发的拆模通知，项目部技术部根据同条件试块强度试验结果及预应力张拉要求确定拆模时间。
4.3.6本工程预应力张拉端外露锚具在张拉后应及时涂刷环氧树脂防腐，然后由土建单位按图纸要求用砼封锚。
4.3.7土建单位砼浇注时需增加两组同条件养护试块，试块强度达到设计强度后的实验报告做为预应力张拉依据。
4.3.8砼振捣时振捣棒不得直接正对预应力波纹管，防止损坏波纹管。
4.3.9由于预应力构件张拉后产生反拱，本工程预应力框架底模的起拱值，可比普通结构的起拱值减少一半。
4.4构件安装时，安装工种在梁、板上钻孔应避开预应力筋，以免预应力筋受到损伤，影响结构安全。
5.结语
本工程施工中，采用的碗扣式满堂脚手架是本地区的一个成功案例，未发生跑模、模板位移、梁底下沉等现象，拆模后外观质量、平整度均符合规范要求。
预应力技术与高支模大跨度支模体系结合应用，取得了良好的技术和经济效益，为以后类似工程积累了成功的经验。
参考文献：
[1].JGJ166-2008,建筑施工碗扣式钢管脚手架安全技术规范[S].
摘 要：针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题，重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究，为新型器件在将来纳米集成电路中的应用奠定了基础。在纳米线器件研究方面，设计了侧墙转移法和TMAH各向异性腐蚀法制备超精细硅纳米线的可控工艺，并进行了实验验证；建立了自限制氧化法硅纳米线制备工艺理论模型，可对工艺进行精确预测；提出了一种原子层掺杂结构可有效调控纳米线器件的阈值电压，同时避免了迁移率的损失；研究了纳米线器件中的GIDL电流机制，提出了抑制GIDL电流的优化方法；提出了一套新的器件-电路优化设计方案，针对纳米线器件在数字电路、模拟/射频电路中的应用分别进行优化设计，得到了相应的设计窗口。在新型低功耗器件研究方面，提出了一种结调制型TFET，显著提升了器件的亚阈特性和开态电流；通过引入pocket层进一步优化了器件结构，实验制备获得了非常低的SS（36mV/dec）和高的开态电流。提出了一种隧穿触发注入场效应晶体管，能同时实现高开态电流、低泄漏电流和陡直的亚阈特性。在纳米尺度MOS器件的可靠性与涨落性研究方面，提出了由AC NBTI引入的工作循环间涨落的两种重要来源的表征方法，实验发现了AC NBTI退化及其涨落的频率依赖性的新现象，建立了物理模型。研究了多栅新器件中的AC RTN，发现比平面器件中的AC RTN活跃程度增强。提出了一种新的AC RTN表征方法，可拓展RTN的栅压探测范围区域。在高迁移率器件研究方面，提出了两种氮等离子体处理方法来提高栅介质/沟道界面质量，进行了实验验证；采用P/Sb共注入技术既有利于提升NiGe薄膜质量，也利于电学性能的提升。针对工艺集成中的关键工艺，对锗刻蚀技术进行了实验研究，得到了适于锗的优化刻蚀条件；在此基础上建立了一个线性RIE刻蚀模型，得到了实验验证；完成了Ge NMOS和PMOS器件的工艺制备，分析了不同钝化技术对Ge器件的影响。在新型闪存器件研究方面，针对TFET-Flash器件的优化器件设计结构，并制备出TFET-FLASH器件，测试结果表明，与传统闪存器件相比，其编程效率提高100倍左右。针对三维闪存技术面临的问题，提出了一种三维围栅结构的TFT陷阱闪存及其NAND型阵列架构，可有效提高闪存存储密度和降低单元成本；并制备了双层围栅TFT闪存原型。测试结果表明，该新型围栅结构TFT闪存在电流开关比、亚阈斜率、迁移率、编程和擦除速度等方面均获得较大改善，并具有多值存储的潜力。
关键词：纳米尺度 硅纳米线器件 低功耗 高迁移率 闪存器件
Abstract：To overcome the problems of manufacturability， power and performance degradation in conventional semiconductor devices when entering 16 nm technology node and beyond， a series of novel devices are investigated for future nanoscale IC applications， including gate-all-around nanowire FETs， ultralow-power TFETs， high-mobility channel devices， Flash memory devices， as well as the device reliability and variability. For nanowire FETs： novel spacer transfer and TMAH etching techniques for controllable nanowire formation are proposed and demonstratedtechnology models for self-limiting oxidation of nanowires are developed for precision process predictionan atomic doping structure is proposed for nanowire threshold voltage control and mobility improvementGIDL in nanowire FETs are studied for its further suppressiona new design methodology for device/circuit optimizations is proposed and demonstrated in nanowire FETs for digital and analog/RF applications. For novel ultralow-power devices： a junction-modulated TEFT is proposed for subthreshold and Ion improvementrecord SS of 36mV/dec and high current are demonstrated by introducing pocket structuresa tunneling-injection FET is proposed for high-Ion， low-Ioff and steeper SS. For device reliability and variability： characterization methods for AC NBTI induced dynamic variability are proposedthe frequency dependence of AC NBTI degradation and variation are observed and modeledAC RTN in multi-gate devices is found have enhanced activity than that in planar FETsa new AC RTN technique is proposed for expanding RTN test window. For high-mobility devices： two plasma techniques for improving gate stack interface are proposed and demonstratedP/Sb co-implantation technique is adopted for improving NiGe film quality and electrical performanceGe etching is experimentally studied and modeled for process optimizationGe NMOS and PMOS devices are fabricated with various passivation techniques. For novel flash memory devices： a new TFET-FLASH device is proposed and fabricated， which have 100x improvement in programming efficiencya 3D gate-all-around TFT flash and its NAND array are proposed for increasing density and reducing costtwo-level gate-all-around TFET prototypes are fabricated， which exhibit enhancement in ON/OFF ratio， SS， mobility， programming/erasing speed and the potential for multi-bit storage.
Key Words：Nanoscale；Silicon Nanowire Transistor；Low Power；High Mobility；Flash
阅读全文链接（需实名注册）：http：///xiangxiBG.aspx？id=51522&flag=1
[关键字] 建筑质量 PDCA 安全管理 循环
0.引言
建筑质量及安全管理控制是在明确的质量方针和目标指导下，通过对建设工程计划和实施过程，致力于实现预期的质量和安全目标，是一种过程性、纠正性和把关性的质量控制。建筑质量是建设工程安全问题中的关键性因素，建筑质量的性能日益成为解决工程建设中不和谐因素的首要问题。建筑质量及安全管理具有系统性、连续性等特点，本文提出将全面质量管理PDCA循环方法应用于建筑质量管理中，对建筑安全及质量管理的全新方法和操作过程进行了分析，从而降低建筑过程中的安全质量事故率，提高建筑工程的安全生产率，增加效益。
1.建筑质量的重要性
建筑质量及工程安全是多学科的综合科学, 其管理是多方面的, 要做到安全施工和质量保证,需要参与建设的各方均加入到管理队伍中来, 各负其责, 综合治理, 才能有效减少安全事故。施工单位、设计单位、监理单位和建设单位等对工程建设都应该负有各自的安全责任, 都应该积极参与建设工程安全及质量管理。作为建设项目的投资方, 建设单位往往是连接项目参与各方的纽带。建设单位处于各个环节的核心, 积极参与安全管理能够为其自身和在建项目带来众多收益。如防止人员伤亡；提高施工现场工人的势气和劳动生产率；保证工期；防止由于事故造成的法律责任；避免负面的公众效应；减少政府部门对项目的干预。由此可见, 建设单位在工程安全管理中起着举足轻重的作用, 他们的积极参与, 更能给安全管理带来意想不到的收获。所以, 建设单位应积极参与工程安全及建筑质量管理。
2.PDCA循环法
PDCA 循环是由美国统计学家戴明(W. E. Deming ) 博士提出来的，它反映了质量管理活动的规律，又称为“戴明环”，即计划( Plan)、实施( Do)、检查( Check)、处理( Action)四个阶段：
P( Plan) 阶段：主要制定计划、方针目标，拟定对策、措施、管理要点等；
D( Do) 阶段：主要按拟定的计划实施执行；
C( Check) 阶段：主要对照计划实施的结果进行必要的检查和测试，肯定成绩，找出存在的问题和不足；
A( Action) 阶段： 处理检查出来的问题， 并肯定成功的经验，把暂时不能解决的问题移到下一循环中去解决。
PDCA，周而复始的活动，每一次循环过程都要确定新的目标，解决新的问题，进而形成一种大环套小环, 阶梯式上升的模式。从图中可以看出PDCA戴明环有三个特点：大环套小环，小环保大环，推动大循环；不断前进、不断提高；门路式上升。
3.PDCA循环法在建筑质量中的应用
如果将整个建筑质量管理体系看做一个过程的话，那么该过程的PDCA循环应包括四个方面。
3.1 P(Plan)计划阶段
P 阶段就是发现问题, 确定问题, 分析问题, 制定问题解决方案的阶段。该阶段包括房间施工企业制订某段具体时间如一年、一个季度、一个月的质量管理计划；分析房建工程施工安全质量系统的现状；提出安全工作指标；编制安全质量措施计划四个方面。选定房建企业安全管理目标的依据主要是企业该时期的安全工作方针，上级有关部门对安全工作的指示、要求，以及企业当时的安全生产状况等。
在工程进行的前期把可能出现的安全问题尽可能的全部罗列出来, 然后根据这些可能出现的问题会同设计单位、施工单位以及监理单位制定出这些问题的解决方案。如: 对设计单位要让其在设计阶段严格执行国家有关标准和关于安全的强制性规定, 并给出相关安全施工的建议或方案; 对施工单位要在招投标时严把安全关, 除严格审查相关资质外, 可根据需要增加对投标单位的安全建设信用核查条款。在工程开工前, 作为建设单位，应严格遵循建筑质量相关规定。
3.2 D(Do)实施阶段
执行就是具体运作、实施计划中的内容，对建筑企业来说，根据质量管理计划，将这些技术方案细化后，落实到个人，经过一个施工段后，企业质量管理计划的总目标集各分目标负责人，分析和汇总各部门的实施情况，以便对技术方案落实情况并对下一阶段的实施进展进行分析、协调，必要时还可组织有关部门对实施情况进行检查，最后确定出下一阶段的实施计划，通过几次反复循环直到所制订的目标最终全部完成。
3.3 C(Check)实施阶段
C 阶段就是检查阶段, 当计划实施一段时间后, 应根据工程施工现场特点, 组织施工单位、监理单位和设计单位相关人员对生产过程中的建筑质量及安全和计划实际执行情况进行经常性的、突击性的和专业性的检查。具体内容主要包括查思想、查管理、查制度、查教育、查现场、查台账、查隐患、查整改等。检查是监督各项制度与计划落实情况的有效手段, 在这个阶段一定要严格执行各项检查制度, 切忌任何其他因素对检查的影响。
3.4 A(Action)实施阶段
PDCA 循环的关键环节是总结阶段，对总结结果进行处理。对成功经验加以肯定，并以标准化，或指定作业指导书，便于以后工作时参照；对失败的原因要总结，引起重视。在实践中，应该对实施情况检查并评估，安全及质量管理负责人召集与质量安全有关的部门的负责人对整个实施过程进行全面、系统的讨论，将有效的经验用书面形式写下来，按照既定的工作程序纳入企业有关的技术或管理标准之中。存在问题，研究问题，最后是解决问题，如果人人有质量忧患意识，真正认真地去做，就能防治质量通病，质量才能再上台阶。
4.结束语
把质量管理中的PDCA 循环工作方式运用于建筑企业的质量管理中，可以解决安全及质量工作中存在的问题，提高安全工作质量水平，使企业的安全工作水平上升到一个新的高度，从而达到节约成本、提高生产率、增强企业竞争力的目的。
参考文献：
[1] 钟俊霖.施工质量管理的若干要素研究[J].国外建材科技.Vol 27（1）.2006.
[2] 建设部.全国建筑施工安全生产形势分析报告[ R] . 2005.
[3] 黄世国,徐丽. 基于PDCA 循环的建筑施工安全管理研究[ J].山西建筑,2007, 33( 4) : 219- 220.
购物车(0)