摘要：铯基卤化铅(CsPbI3)钙钛矿纳米晶具有高光致发光效率、窄的半峰宽及高量子产率等光电特性。但是由于纳米晶的表面缺陷,导致CsPbI3钙钛矿纳米晶稳定性较差,限制了其应用范围。改善表面缺陷,提高纳米晶的稳定性成为研究热点。所以在传统热注法制备CsPbI3纳米晶的基础上,采用简单的母液稀释法,160℃下油浴合成晶格间距为0.62 nm对应CsPbI3标准卡片(100)晶面的立方相纳米晶。通过表征纳米晶的荧光发射和吸收性能,并结合稳定时间的变化,结果发现其发射峰稳定在680~700 nm左右。稳定时间由原来的7 d提高到10 d,大大提高了CsPbI3纳米晶的稳定性,而且降低了发射波长峰值处强度衰减速率,延迟了荧光猝灭进程。