摘要：利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响，结果表明，在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大，薄膜结晶质量好，薄膜具有优良的光电性能，Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小，薄膜结晶质量差，结构疏松，从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0．4Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21．02nm，电阻率最低，为14μΩ·cm，波长190nm～850nm范围内的平均反射率可达到66．94％。