摘要：利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜，在50℃～200℃之间，研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明，随着基片温度的升高，SnS薄膜的结晶度越好，薄膜变得更光滑，薄膜颗粒也增大了；薄膜的平均粗糙度从19．1nm减小到3．92nm，薄膜颗粒的平均粒径从108nm增大到150nm。而且随着基片温度的升高，SnS薄膜的栽流子浓度从7．118×10^13cm^-3提高到2．169×10^15cm^-3，而电阻率从641．8Ω·cm降低到206．2Ω·cm。但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响。在不同基片温度下，所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS，在（111）晶面上有很强的择优取向，其导电类型都为P型。